關於亞尼捷 產品服務 研究與發展 聯絡我們 最新消息
最新消息
             

毛刷(Brush)搭配晶圓專用清洗劑去除晶片表面的方法與機構

 

一般晶片在最終清洗時,多以超音波(Ultrasonic)搭配浸潤(Dipping)的方式進行處理,其後,再以毛刷清洗晶片表片作為最終處理的制程;本章節主要探討即毛刷作為最後一段清洗制程的方法與機構。
較為常見的,是將晶片以機械手臂(robot)取出後放置專用載台(stage)上,其後將毛刷臂(arms with brush)放下,輕碰晶片表面。載台與機械手臂的定位很重要,若晶片放在載臺上有偏心,會導致載台運作時使晶片非正向旋轉,進而影響刷洗效果。
接者毛刷輕碰晶片表面時,可視污染程度與預期表面品質的效果,增加或減少毛刷的下壓力,通常來說,重壓可以使表面摩擦力增加,去除的能力也會比輕壓來的好,但針對一些沾附型的微小顆粒(<200um),此時使用輕壓的效果會優於重壓。
常見的毛刷有PVA(聚乙烯醇為原料的發泡合成的多氣孔體材質)以及長條狀Nylon材質的為主。PVA是一種具有柔水性和連續氣孔的構造,所以它具有較佳的吸水性及保水性; 對於晶片表面的污染物可以提供最有效應的清洗功效。而Nylon是一種聚合物,由醯胺鍵結後成為聚醯胺的一種。兩者在清洗原理上不盡相同:當PVA吸水後,對於污染物質以抹除的方式洗淨,針對微小顆粒有者較佳的效果;Nylon則是刷除的方式,對於頑強的油污或大顆粒物質等,去除能力較佳。故在選用上,可視其晶片殘留的污染物來選用。當然,若數多段毛刷arms的清洗機,則可以一起搭配使用。

在毛刷清洗時,可以利用輔助的清潔劑來搭配使用,其微粒(particle)的去除效果可由98%提升至99.5%。當毛刷刷洗表面時,若有清潔劑輔助,在表面微觀下則同時具有物理刷洗與化學反應兩種現象發生。清潔劑中的介面活性劑(Surfactant)可軟化或剝離污染物質,再藉由物理的刷洗方式會更容易去除,如此搭配下則具有更好的表面潔淨度。
一般刷片機台的規格,可參照下文所述,主要針對尺寸、規格、產量等作為範例:
Acceptance Criteria:
1,This Equipment Focus on 6~8inch Wafer Final Cleaning
2, 6” test: 0.3um < = 30 piece (Depend on Wafer Condition) 
8” test test: 0.3um < = 150 piece (Depend on Wafer Condition)
3, Guaranty throughput: Over 100,000 pieces per month
4, Wafer break rate: < = 1/3,000
5, Detergent : Neutral Detergent
6, Clean Room Condition : Class 100
7. Unloading Cst : Process P.P CST
8. Input wafer will be processed by Pre-cleaning cleaner
with Detergent (input wafer Particle under 5,000 ea)
(Dry In => Dry out)

亞尼捷公司提供了一款可搭配毛刷清洗的最終清洗劑(ANJ-3),它能使毛刷的去除能力發揮到最大,同時去除微粒的能力高達99.5%以上,獲得業界好評。在晶片的最終清洗制程,您應該優先考慮本產品,相信可獲得更佳的性價比。
 
亞尼捷應用化學有限公司    統編:42773962    連絡地址:彰化縣埔鹽鄉新水村大新路28-12號
專人服務:0928-546585    連絡電話:04-8659472    傳真:04-8655057
服務信箱:alanchou@anjacc.com    服務時間:週一~週五 AM 09:00~17:00 
亞 尼 捷 應 用 化 學 有 限 公 司 版 權 所 有 / 轉 載 必 究 
copyright © 2016 ANJ Applied Chemistry Co., Ltd. All Rights Reserved.